Bauteil Analysator

automatische Identifikation von Komponenten
automatische Erkennung von Anschlusspins
Erkennung von Besonderheiten wie z. B. die Erkennung von Schutzdioden und Shunt Widerständen
Bipolartransistoren: Messung von Stromverstärkung und Stromverlust, Erkennung von Silizium oder Germanium
Schwellenspannungsmessung für Anreicherungsmodus MOSFETs
Messung der Durchgangsspannung von Dioden, LEDs und Basis Emitterübergängen von Transistoren
automatische und manuelle Abschaltung
Spezifikation Zusammenfassung bei 20°C (68°F), wenn nicht anders angegeben
Spitzenkurzschlussstrom (ISC): 5,5 mA bis 5,5 mA
Offener Stromkreis Überspannung (VOC): 5,1 V bis 5,1 V
Transistor:
Verstärkungsbereich (HFE): 4 65 000
Verstärkungsgenauigkeit: ± 3% ± 5 Hfe
Kollektor Emitter Prüfspannung (VCEO): 2,0 V 3,0 V
Grundgenauigkeit der Emitterspannung VBE: 2% 20 mV bis +2% + 20 mV
Basis Emitterspannung VBE für Darlington Transistor (shunted): 0,95 V 1,80 V (0,75 V 1,80 V)
Basis Emitter Nebenschlusswiderstand Schwelle: 50 kΩ 70 kΩ
BJT Kollektor Teststrom: 2,45 mA 2,55 mA
BJT zulässiger Leckstrom: 0,7 mA
MOSFET:
Gate Source Spannungsbereich: 0,1 V 5,0 V
Schwellwertgenauigkeit: 2% 20 mV bis +2% +20 mV
Ableitstrom: 2,45 mA 255 mA
Gate Widerstand: 8 kΩ
Drain Source Teststrom: 4,5 mA
JFET Drain Source Prüfspannung: 0,5 mA 5,5 mA
Thyristor/Triac:
Gate Strom : 4,5 mA
Haltestrom : 5,0 mA
Diode:
Prüfstrom : 5,0 mA
Spannungsgenauigkeit: 2% 20 mV bis +2% +20 mV
Leitspannung für LED Kennung: 1,50 V 4,00 V
Kurzschlussschwelle: 10 Ω
Batterie:
Typ: MN21 / L1028 / GP23A 12 V alkalisch
Spannungsbereich: 7,50 V 12 V
Alarmschwelle: 8,25 V
Abmessungen: 103 x 70 x 20 mm (4,1" x 2,8" x 0,8")
Gewicht pro Produkt (netto): 0.098kg (3.5oz)
Arbeitstemperatur: 0°C~50°C (32F ~ 122F)